121087, г. Москва, Багратионовский проезд, д 7 к.20В офис 524
+7 (915) 354 87 87
nanometric.ru, info@nanometric.ru
Печать/PDFАвтоматический оптический анализ формы пластин и фотошаблонных заготовок серии WafoM 40 может автоматически измерять толщину пластин, шероховатость поверхности, микро-нано- трехмерную морфологию в одной измерительной системе. Спектральная конфокальная технология используется для измерения толщины кремниевых пластин, TTV, LTV, BOW, WARP, шероховатости поверхности и других параметров и одновременно для генерации диаграммы Mapping. Технология интерферометрии белого света используется для бесконтактного сканирования поверхности пластин.
Позволяет измерять различные типы поверхности объектов: от гладких до шероховатых, с коэффициентом отражения от низкого до высокого, а также толщину, шероховатость, плоскостность, микрогеометрические контуры, кривизну деталей на уровне от нанометра до микрометра. Предоставляет более 300 видов 2D и 3D параметров в качестве критериев оценки в соответствии с четырьмя основными отечественными и зарубежными стандартами ISO/ASME/EUR/GBT.
Сфера применения
Измерение толщины и угловатости кремниевой пластины без схемы
Благодаря бесконтактному измерению осуществляется восстановление трехмерной морфологии верхней и нижней поверхностей кремниевой пластины. Мощное ПО для анализа измерений предоставляет стабильный расчет толщины и шероховатости кремниевой пластины, ее общее изменение по толщине (TTV). Обеспечивает действенную защиту целостности пленки или изображения кремниевой пластины.
Сфера применения
Измерение шероховатости кремниевых пластин без схемы
|
  |
3D-изображение поверхности кремниевой пластины после грубого и тонкого шлифования в процессе утончения полупроводниковой пластины. Используются числовые значения шероховатости Sa и стабильность числового значения многократных измерений для предоставления обратной связи о качестве обработки. Для утонченной полупроводниковой пластины, измеренной в условиях сильного шума в производственном цехе, шероховатость кремниевой пластины тонкого шлифования составляет около 5 нм. Повторяемость, рассчитанная на основе 25 данных измерений, составляет 0,046987 нм, стабильность измерений высокая.
|
Модель продукции |
KP41 |
KP42 |
|
|
Размер кремниевой пластины |
2”, 4”, 6”, 8”, 12” |
||
|
Загрузочный стол кремниевой пластины |
Регулируемая вакуумная присоска загрузочного стола |
||
|
Загрузка кремниевой пластины |
Ручная загрузка (настраиваемая автоматическая загрузка) |
||
|
Ход рабочего стола XYZ |
400 мм/400 мм/75 мм |
||
|
Максимальная скорость перемещения |
500 мм/с |
||
|
Каркасный материал |
Гранит |
||
|
Виброизоляция |
Воздушная антивибрационная система |
||
|
Загрузка рабочего стола |
≤10 кг |
||
|
Габариты |
2047×1543×2000 мм |
||
|
Общий вес |
Около 2000 кг |
||
|
Требования к подаче воздуха |
0.6 МПа; 60 л/мин |
||
|
Требования к температуре |
Температура 20°С±1°С/ч, влажность 30~80% |
||
|
Требования к вибрации |
Вибрация <0.002 g, ниже 10 Гц |
||
|
Система измерения толщины |
Система измерения толщины и угловатости |
||
|
Измеряемый материал |
Арсенид галлия, нитрид галлия, фосфид галлия, германий, фосфид индия, ниобат лития, сапфир, кремний, карбид кремния, стекло и т. д. |
||
|
Датчик измерения |
Высокоточный датчик спектрального смещения |
||
|
Диапазон измерения |
10 мкм~2000 мкм |
||
|
Способ сканирования |
Сканирование Fullmap, метровое сканирование, свободное многоточечное сканирование |
||
|
Точность измерения |
±0.25 мкм |
||
|
Повторяемость (σ) |
0.2 мкм |
||
|
Разрешение зонда |
17 нм |
||
|
Измеряемый параметр |
Толщина, TTV (общее изменение толщины), LTV, BOW, WARP, плоскостность, шероховатость линий |
||
|
Система измерения морфологии |
Система измерения трехмерной микроморфологии |
||
|
Принцип измерения |
— |
Интерференция белого света |
|
|
Источник света |
— |
Белый свет LED |
|
|
Интерференционный объектив |
— |
10×(2.5×, 5×, 20×, 50×, доступно несколько вариантов) |
|
|
Поле обзора |
— |
0.96 мм×0.96 мм |
|
|
Турели для объективов |
— |
Ручная турель: 3 объектива (опционально) |
|
|
Регулировка горизонтального наклона |
— |
±2° |
|
|
Диапазон сканирования направления Z |
— |
10 мм |
|
|
Разрешение направления Z |
— |
EVSI: 0.5нм; EPSI: 0.1нм |
|
|
Латеральное разрешение |
— |
0.5~3.7 мкм |
|
|
Скорость сканирования |
— |
2.5~5.0 мкм/с |
|
|
Измеримый коэффициент отражения образца |
— |
0.05%~100% |
|
|
Повторяемость RMS шероховатости *1 |
— |
0.005 нм |
|
|
Измерение шага |
Точность |
— |
0.3% |
|
Повторяемость |
— |
0.08%1σ |
|
|
Измеряемый параметр *2 |
— |
Микроморфология, шероховатость линии/ поверхности, пространственная частота и т.д. Более 300 видов параметров в трёх категориях |
|
*1 Параметры шероховатости получены путем измерения параметра Sq кремниевой пластины Sa 0,2 нм в лабораторных условиях в соответствии с международным стандартом ISO 25178.
*2 Параметры высокой производительности шага получены путем измерения стандарта высоты шага 4,7 мкм в лабораторных условиях в соответствии со стандартом ISO